BD13910STU Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1360983
Биполярные транзисторы - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-126 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | BD139 |
| Размер фабричной упаковки | 1920 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Другие названия товара № | BD13910STU_NL |
| Вес изделия | 761 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 12.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |