BD236STU Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-126 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | BD236 |
Размер фабричной упаковки | 1920 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Вес изделия | 761 mg |
Pd - рассеивание мощности | 25 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 60 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 60 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 0.6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 3 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |