BD239BTU Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Биполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | BD239B |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Вес изделия | 1.800 g |
Pd - рассеивание мощности | 30 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |