BDP949H6327XTSA1 Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTORS
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1361097
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTORS
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | 949 BDP H6327 SP000748382 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 5 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 2 A, 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | - |