BF-771-E6327 Биполярные транзисторы - BJT NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1361133
Биполярные транзисторы - BJT NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BF771 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | BF771E6327HTSA1 BF771E6327XT SP000010967 |
| Pd - рассеивание мощности | 580 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.08 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 8000 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 at 30 mA at 8 V |