BF-888-H6327 РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-343 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BF888 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Другие названия товара № | BF888H6327XT BF888H6327XTSA1 SP000745170 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 160 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 13 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
Тип транзистора | Bipolar Power |
Непрерывный коллекторный ток | 30 mA |