BFN-19-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTOR
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1361284
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTOR
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-89-4 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BFN19 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | BFN19E6327HTSA1 SP000010998 |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 30 at 30 mA at 10 V |