BFN-27-E6327 Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1361287
Биполярные транзисторы - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BFN27 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | BFN27E6327HTSA1 BFN27E6327XT SP000014782 |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 300 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 300 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1 mA at 10 V, 40 at 10 mA at 10 V, 30 at 30 mA at 10 V |