BFP-640-H6327 РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
РЧ биполярные транзисторы RF BIP TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-343 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BFP640 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BFP640H6327XT BFP640H6327XTSA1 SP000745306 |
Технология | SiGe |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Рабочая частота | 40 GHz |
Конфигурация | Single Dual Emitter |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.2 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 110 |
Тип транзистора | Bipolar |
Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |