BFS-17P-E6327 Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR
Биполярные транзисторы - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-23 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BFS17 |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BFS17PE6327HTSA1 BFS17PE6327XT SP000011073 |
Pd - рассеивание мощности | 280 mW |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 25 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.025 A |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 2.5 MHz |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |