BFU580GX РЧ биполярные транзисторы Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1361488
РЧ биполярные транзисторы Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT223-4 |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | NPI Part Build_RF Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Рабочая частота | 900 MHz |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 16 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Тип транзистора | Bipolar Wideband |
| Непрерывный коллекторный ток | 30 mA |