bfu730f,115 РЧ биполярные транзисторы NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
РЧ биполярные транзисторы NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
Характеристики
Упаковка / блок | SOT343F-4 |
---|---|
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | SiGe |
Pd - рассеивание мощности | 197 mW |
Рабочая частота | 55 GHz |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 2.8 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1 V |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 205 |
Тип транзистора | Bipolar |
Непрерывный коллекторный ток | 5 mA |