bfy450-(p) РЧ биполярные транзисторы HiRel NPN Silicon RF Transistor
РЧ биполярные транзисторы HiRel NPN Silicon RF Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | Micro-X |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Bulk |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BFY450PNZ BFY450PZZZA1 SP000011415 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 450 mW |
Рабочая частота | 22000 MHz |
Конфигурация | Single Dual Emitter |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 4.5 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 1.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 at 20 mA at 1 V |
Тип транзистора | Bipolar |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |