BG-3130-H6327 РЧ МОП-транзисторы RF MOSFETS
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1361517
РЧ МОП-транзисторы RF MOSFETS
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-363 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Усиление | 24 dB |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BG3130 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип | RF Small Signal MOSFET |
| Другие названия товара № | BG3130H6327XT BG3130H6327XTSA1 SP000753494 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Рабочая частота | 800 MHz |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |