BLP7G07S-140PY РЧ МОП-транзисторы Power LDMOS transistor
РЧ МОП-транзисторы Power LDMOS transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 225 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-1223-4 |
Торговая марка | NXP Semiconductors |
Усиление | 20.9 dB |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Тип | RF Power MOSFET |
Технология | Si |
Рабочая частота | 700 MHz to 1000 MHz |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 65 V |
Id - непрерывный ток утечки | 1.2 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 13 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.5 S |