BLW50F РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1361639
РЧ биполярные транзисторы RF Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-123 |
| Торговая марка | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Вид монтажа | Screw |
| Упаковка | Tray |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 87 W |
| Рабочая частота | 30 MHz |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 55 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 19 |
| Тип транзистора | Bipolar Power |
| Непрерывный коллекторный ток | 3.25 A |