Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
BPW17N Фототранзисторы NPN Phototransistor 32V 100mW 825nm купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

BPW17N Фототранзисторы NPN Phototransistor 32V 100mW 825nm

Производитель
Vishay Semiconductors

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1581035

BPW17N Фототранзисторы NPN Phototransistor 32V 100mW 825nm

Фототранзисторы NPN Phototransistor 32V 100mW 825nm

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 100 C
Упаковка / блокT-3/4
Торговая маркаVishay Semiconductors
Вид монтажаThrough Hole
УпаковкаBulk
Размер фабричной упаковки5000
Минимальная рабочая температура- 40 C
ПродуктPhototransistors
ТипChip
Pd - рассеивание мощности100 mW
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Темновой ток200 nA
Длина волны825 nm
Максимальный ток коллектора во включенном состоянии50 mA
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер32 V
Слабый ток1 mA