BSM100GB120DN2K Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1362016
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | Half Bridge1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | Screw |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 145 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |