Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
BSM20GP60 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

BSM20GP60 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1362046

BSM20GP60 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 125 C
Упаковка / блокEconoPIM2
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаScrew
Размер фабричной упаковки10
Минимальная рабочая температура- 40 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Pd - рассеивание мощности130 W
КонфигурацияHex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C35 A
Ток утечки затвор-эмиттер300 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер+/- 20 V