BSM50GD120DN2G Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1362076
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | EconoPACK 3A |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | Screw |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Конфигурация | Hex |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 78 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |