BSO615C-G МОП-транзистор N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8
МОП-транзистор N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | DSO-8 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | BSO615 |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | SIPMOS |
Другие названия товара № | BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311 |
Количество каналов | 2 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Время спада | 18 ns, 90 ns |
Время нарастания | 75 ns, 105 ns |
Конфигурация | Dual Dual Drain |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms, 270 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Id - непрерывный ток утечки | 3.1 A, - 2 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Типичное время задержки выключения | 25 ns, 125 ns |
Типичное время задержки при включении | 16 ns, 24 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |