BSZ086P03NS3-G МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TSDSON-8 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | OptiMOS P3 |
Размер фабричной упаковки | 5000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | OptiMOS |
Другие названия товара № | BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GXT SP000473024 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 69 W |
Время спада | 8 ns |
Время нарастания | 46 ns |
Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.6 mOhms |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 13.5 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
Типичное время задержки выключения | 35 ns |
Типичное время задержки при включении | 16 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 P-Channel |