Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
BSZ086P03NS3-G МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3 купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

BSZ086P03NS3-G МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

Производитель
Infineon Technologies

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1362479

BSZ086P03NS3-G МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

МОП-транзистор P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTSDSON-8
Торговая маркаInfineon Technologies
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияOptiMOS P3
Размер фабричной упаковки5000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Коммерческое обозначениеOptiMOS
Другие названия товара №BSZ086P03NS3GATMA1 BSZ086P03NS3GXT SP000473024
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности69 W
Время спада8 ns
Время нарастания46 ns
КонфигурацияSingle Quad Drain Triple Source
Rds Вкл - сопротивление сток-исток8.6 mOhms
Полярность транзистораP-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 30 V
Id - непрерывный ток утечки13.5 A
Vgs - напряжение затвор-исток25 V
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel