BSZ160N10NS3-G МОП-транзистор N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
МОП-транзистор N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TSDSON-8 |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | OptiMOS 3 |
Размер фабричной упаковки | 5000 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | OptiMOS |
Другие названия товара № | BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GXT SP000482390 |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
Время спада | 5 ns |
Время нарастания | 10 ns |
Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Типичное время задержки выключения | 22 ns |
Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |