BU508AF Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1362559
Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | ISOWATT-218FX-3 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серия | 1000V Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 300 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 50000 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 700 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 9 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 at 0.1 A at 5 V, 5 at 4.5 A at 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 30 |