BUL1102E Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Reel |
Серия | 500V Transistors |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Pd - рассеивание мощности | 70 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 at 250 mA at 5 V, 12 at 2 A at 5 V |