BUL1102EFP Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1362962
Биполярные транзисторы - BJT IGBT & Power Bipolar
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-FP-3 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Reel |
| Серия | BUL1102E |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 450 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 at 250 mA at 5 V, 12 at 2 A at 5 V |