BUT11TU Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Биполярные транзисторы - BJT NPN Sil Transistor
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | BUT11 |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Минимальная рабочая температура | - 65 C |
Другие названия товара № | BUT11TU_NL |
Вес изделия | 1.800 g |
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 850 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |