BUT30V Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Module
Биполярные транзисторы - BJT NPN Power Module
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Tube |
Серия | 500V Transistors |
Размер фабричной упаковки | 100 |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 125 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 27 |