Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
CGHV1J025D РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

CGHV1J025D РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB

Производитель
Cree, Inc.

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1363099

CGHV1J025D РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB

Характеристики

Максимальная рабочая температура-
Диапазон рабочих температур-
Упаковка / блокBare Die
Торговая маркаCree, Inc.
Усиление17 dB
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаGel Pack
Минимальная рабочая температура-
Класс-
ТехнологияGaN SiC
Pd - рассеивание мощности-
Средства разработки-
Выходная мощность25 W
Рабочая частота10 MHz to 18 GHz
Применение-
Rds Вкл - сопротивление сток-исток0.6 Ohms
NF - коэффициент шумов-
P1dB - точка сжатия-
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Id - непрерывный ток утечки2 A
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток- 3V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.-
Тип транзистораHEMT
Vds - напряжение пробоя затвор-исток- 10 V to + 2 V
Напряжение отсечки затвор-исток-
Максимальное напряжение сток-затвор-