CGHV1J025D РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363099
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | - |
|---|---|
| Диапазон рабочих температур | - |
| Упаковка / блок | Bare Die |
| Торговая марка | Cree, Inc. |
| Усиление | 17 dB |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Gel Pack |
| Минимальная рабочая температура | - |
| Класс | - |
| Технология | GaN SiC |
| Pd - рассеивание мощности | - |
| Средства разработки | - |
| Выходная мощность | 25 W |
| Рабочая частота | 10 MHz to 18 GHz |
| Применение | - |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 0.6 Ohms |
| NF - коэффициент шумов | - |
| P1dB - точка сжатия | - |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | - 3V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | - |
| Тип транзистора | HEMT |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | - 10 V to + 2 V |
| Напряжение отсечки затвор-исток | - |
| Максимальное напряжение сток-затвор | - |