CMLT5551-TR Биполярные транзисторы - BJT Dual NPN Small Sgnl High Voltage
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363218
Биполярные транзисторы - BJT Dual NPN Small Sgnl High Voltage
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-563 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | CMLT5551 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |