CMPT5551-TR Биполярные транзисторы - BJT NPN GP
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363270
Биполярные транзисторы - BJT NPN GP
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23 |
| Торговая марка | Central Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | CMPT55 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C |
| Другие названия товара № | 3000 CMPT5551 PCS T&R |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 600 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 50 mA, 5 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |