CSD19532KTTT МОП-транзистор 100V, N-channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363612
МОП-транзистор 100V, N-channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | CSD19532KTT |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 250 W |
| Время спада | 2 ns |
| Время нарастания | 3 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.3 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 136 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.6 V |
| Qg - заряд затвора | 44 nC |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |