CSD19535KCS МОП-транзистор 100V N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор
МОП-транзистор 100V N-CH NexFET Pwr МОП-транзистор
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
---|---|
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Торговая марка | Texas Instruments |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка | Tube |
Серия | CSD19535KCS |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Время спада | 5 ns |
Время нарастания | 15 ns |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.4 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 187 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
Qg - заряд затвора | 78 nC |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 274 S |
Тип транзистора | 1 N-Channel |