CSD85312Q3E МОП-транзистор Dual 20V N-CH Pwr МОП-транзисторs
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363667
МОП-транзистор Dual 20V N-CH Pwr МОП-транзисторs
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | VSON-FET-8 |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | CSD85312Q3E |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Конфигурация | Dual Common Source |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 76 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 11.7 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 99 S |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |