CSD88539NDT МОП-транзистор 60V Dual NCh NexFET Pwr МОП-транзистор
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1363697
МОП-транзистор 60V Dual NCh NexFET Pwr МОП-транзистор
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | CSD88539ND |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 9 ns |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 27 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 11.7 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 7.2 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 19 S |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |