Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
CTLT3410-M621-TR Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 0.9W купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

CTLT3410-M621-TR Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 0.9W

Производитель
Central Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1363703

CTLT3410-M621-TR Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 0.9W

Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 0.9W

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокTLM-621-6
Торговая маркаCentral Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияCTLT34
Минимальная рабочая температура- 65 C
Pd - рассеивание мощности0.9 W
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.25 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер450 mV
Максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100 at 10 mA, 1 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300 at 100 mA at 1 V