CZDM1003N-TR МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 12A
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vds 20Vgs 12A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Упаковка / блок | SOT-223-3 |
Торговая марка | Central Semiconductor |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Упаковка | Reel |
Серия | CZDM1003 |
Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Конфигурация | Single |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Типичное время задержки выключения | 60 ns |
Типичное время задержки при включении | 40 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |