Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
DMG204B10R Биполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

DMG204B10R Биполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

Производитель
Panasonic

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1364439

DMG204B10R Биполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

Биполярные транзисторы - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокMini6-G4-B
Торговая маркаPanasonic
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 40 C
Pd - рассеивание мощности300 mW
КонфигурацияDual
Полярность транзистораNPN, PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.- 50 V, + 20 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)- 60 V, + 25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)- 7 V, + 12 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер- 0.2 V, + 0.18 V
Максимальный постоянный ток коллектора- 100 mA, + 0.5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)150 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)210
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.800 at 0.5 A at 2 V