DSC2001Q0L Биполярные транзисторы - BJT Bipolar Power Transistor
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1365552
Биполярные транзисторы - BJT Bipolar Power Transistor
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | Mini3-G3-B |
| Торговая марка | Panasonic |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.13 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 210 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 460 |