FCP190N65F МОП-транзистор SuperFET2 650V, 190 mOhm, FRFET
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1366615
МОП-транзистор SuperFET2 650V, 190 mOhm, FRFET
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 1.800 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 208 W |
| Время спада | 4.2 ns |
| Время нарастания | 11 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20.6 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 60 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18 S |
| Типичное время задержки выключения | 62 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |