FD600R12IP4D Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1366736
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | Screw |
| Упаковка | Bulk |
| Размер фабричной упаковки | 3 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 3.35 kW |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.05 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 600 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |