FDB16AN08A0 МОП-транзистор Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1366795
МОП-транзистор Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | D2PAK-3 |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | FDB16AN08A0 |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 1.312 g |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 135 W |
| Время спада | 30 ns |
| Время нарастания | 82 ns |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 58 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |