Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
FDD2670 МОП-транзистор N-CH 200V 18A Q-FET купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

FDD2670 МОП-транзистор N-CH 200V 18A Q-FET

Производитель
Fairchild Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1366945

FDD2670 МОП-транзистор N-CH 200V 18A Q-FET

МОП-транзистор N-CH 200V 18A Q-FET

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокDPAK-3
Торговая маркаFairchild Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияFDD2670
Размер фабричной упаковки2500
Минимальная рабочая температура- 55 C
Другие названия товара №FDD2670_NL
Вес изделия260.370 mg
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности3.2 W
Время спада25 ns
Время нарастания8 ns
КонфигурацияSingle
Rds Вкл - сопротивление сток-исток130 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Id - непрерывный ток утечки3.6 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.15 S
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении13 ns
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel