Warning: Cannot modify header information - headers already sent by (output started at /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/model/shop.php:283) in /var/www/user1175772/data/www/comp.protehnology.ru/cache/template/pc.defaultHead.php on line 9
FDMS3669S МОП-транзистор 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench купить в интернет-магазине, цены, характеристики

Выберите свой город


Поиск по сайту:
Заказать звонок     Ваш город: Санкт-Петербург      Каталог
Войти в личный кабинет
Корзина пуста

FDMS3669S МОП-транзистор 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

Производитель
Fairchild Semiconductor

Цена
запросить цену в 1 клик

Арт.: 1367333

FDMS3669S МОП-транзистор 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

МОП-транзистор 30V Asymmetric Dual N-Channel Pwr Trench

Характеристики

Максимальная рабочая температура+ 150 C
Упаковка / блокPower-56-8
Торговая маркаFairchild Semiconductor
Вид монтажаSMD/SMT
УпаковкаReel
СерияFDMS3669S
Размер фабричной упаковки3000
Минимальная рабочая температура- 55 C
Вес изделия171 mg
Количество каналов2 Channel
Pd - рассеивание мощности2.5 W
Время спада3 ns
Время нарастания3 ns
КонфигурацияDual Asymmetric
Rds Вкл - сопротивление сток-исток10 mOhms
Полярность транзистораN-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Id - непрерывный ток утечки60 A
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Qg - заряд затвора34 nC
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.113 S
Типичное время задержки выключения24 ns
Типичное время задержки при включении9 ns
Тип транзистора2 N-Channel