FF100R12RT4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1367842
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module w/ IGBT & Diode
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Bulk |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 555 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |