FF1400R17IP4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700V
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1400A 1700V
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Tray |
Размер фабричной упаковки | 2 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Pd - рассеивание мощности | 9.55 kW |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 1400 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |