FF200R06YE3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 200A
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 200A
Характеристики
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Торговая марка | Infineon Technologies |
Вид монтажа | Screw |
Упаковка | Bulk |
Размер фабричной упаковки | 20 |
Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 220 A |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |