FF200R17KE4 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1700V
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1367872
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 200A 1700V
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | 62 mm |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | Screw |
| Упаковка | Tray |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 1250 W |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.45 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 310 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |