FF401R17KF6C-B2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 650A
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1367907
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 650A
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | IHM |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Вид монтажа | Screw |
| Размер фабричной упаковки | 4 |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Pd - рассеивание мощности | 3.1 kW |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 650 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |