FFB5551 Биполярные транзисторы - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
Производитель
Цена
запросить цену в 1 клик
Арт.: 1367970
Биполярные транзисторы - BJT NPN MULTI-CHIP GEN PURPOSE
Характеристики
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Упаковка / блок | S-Mini |
| Торговая марка | Fairchild Semiconductor |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel |
| Серия | FFB5551 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вес изделия | 28 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |